■日時：2024年08月30日(金) 13:30～16:30
■会場：※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
※ お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ず、ご確認ください。
■定員：30名
■受講料：
●1名様 ：38,500円（税込、資料作成費用を含む）
●2名様以上：16,500円（お一人につき）
※受講料の振り込みは、開催翌月の月末までで問題ありません
■主催：(株)AndTech
■講師：
富士フイルム株式会社 エレクトロニクスマテリアルズ開発センター
シニアエキスパート 藤森 亨 氏
■講演主旨：
微細加工に必要なリソグラフィ技術、そのための材料であるフォトレジストは、長い歴史を経て、
EUVリソグラフィの実現を迎えた。しかしながら、適用可能なデバイスメーカーおよび適用レイヤー
が限られており、それは露光装置およびその運営コストの高さに一端がある。
一方、ナノインプリントリソグラフィも微細加工リソグラフィとして長い間検討がなされるも困難
な道のりを歩んできたが、EUVの適用困難性から、近年再び脚光をあびてきている。キヤノンの装置発
表、富士フイルムの材料プレスリリースは記憶に新しい。微細加工リソグラフィとしてのEUVリソグラ
フィおよびナノインプリントリソグラフィに関し、時間の許す限り紹介する。
■習得できる知識：
①リソグラフィにおけるナノインプリントの位置づけ
②最先端リソグラフィ用EUVレジストとナノインプリントレジストの基礎と課題
■プログラム：
※現在、講師の先生に最新の講演プログラムを考案いただいております。
完成次第本ページを更新いたします。
１．私たちを取り巻く環境
1.1 EUVリソグラフィと生活への適用
1.2 富士フイルムの電子技術
2. リソグラフィ微細化の歴史
2.1 「ムーアの法則」を実現するためのパターン縮小
2.2 EUVリソグラフィの必要性
3. EUVレジスト技術
3.1 EUVレジストへの挑戦
3.2 リソグラフィーにおける確率的問題
3.3 フォトンショットノイズ
3.4 「KrF/ArF」と「EUV」の違い
3.5 高EUV吸収材料
3.6 パターン収縮の歴史
4. ナノインプリントレジスト
4.1 EUVプロジェクトのロードマップ
4.2 高NA極端紫外線露光 (High NA EUV)の特徴
4.3 NIL技術の特徴
4.4 NIL向けレジスト開発
【質疑応答】
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