■日時：2024年07月31日(水) 13:00〜17:45
■会場：※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
※ お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ず、ご確認ください。
■定員：30名
■受講料：60,500円(税込、テキスト費用を含む)
※複数でのご参加を希望される場合、お申込み追加1名ごとに16,500円が加算となります
■主催：(株)AndTech
■講師：
第1部 兵庫県立大学 学長特別補佐 （先端研究担当）/
産学連携・研究推進機構 放射光産業利用支援本部 本部長代行/
高度産業科学技術研究所特別補佐/極端紫外線リソグラフィー研究開発センター長/
教授 渡邊 健夫 氏
第2部 大日本印刷株式会社 ファインデバイス事業部 第一製造本部 副本部長
シニアテクニカルダイレクター 吉川 真吾 氏
第3部 レーザーテック株式会社 技術五部 部長 宮井 博基 氏
第4部 AGC株式会社 電子カンパニー 電子部材事業本部 アドバンストマテリアル事業部
ブランクス部 / マネージャー 羽根川 博 氏
■プログラム：
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第1部 EUVリソグラフィにおけるの最新動向とペリクル・フォトマスクでの課題解決
【講演主旨】
EUVリソグラフィ(EUVL)は2019年より7nmロジックデバイスの量産技術として適用が
開始された。半導体の前工程であるEUVLは微細加工に必須の技術となっており、
IRDS国際ロードマップのとおり、2037年の0.5nmロジックデバイスの量産までEUVLが
適用され、MOSトランジスター構造の３次元化に大きく貢献をしている。講演では
黎明期のEUVL、技術開発の現状、今後の展望と併せて、EUV光のさらなる短波長である
beyond EUVLの可能性について紹介する。また、半導体技術は国家安全保障や経済安全
保障上重要な技術であり、日本の半導体復活へのシナリオについても言及します。
【プログラム】
１．半導体市場動向
２．IRDS国際ロードマップの概要
３．EUVリソグラフィ技術はなぜ必要か？
４．EUVリソグラフィ技術課題
５．明期のEUVリソグラフィ技術
６．EUVL用露光機
７．EUVマスク欠陥検査技術
８．EUVペリクル評価
９．EUVレジスト材料プロセス技術
１０．EUVリソグラフィ技術の今後の展開（High NA EUVLを含む）
１１．次世代Beyond EUVリソグラフィ技術
１２．日本半導体復活に向けたシナリオ
１３．まとめ
【質疑応答】
【キーワード】
IRDS国際ロードマップの概要、EUVリソグラフィ技術、EUV露光機、
EUVマスク欠陥検査技術の基礎、EUVペリクル、EUVレジスト材料プロセス技術、
日本半導体復活に向けたシナリオ
【講演のポイント】
1990年にシャープ（株）中央研究所に入社し、各種半導体微細加工技術に従事し、
1993年以来EUVリソグラフィ技術開発に従事してきた。1996年より姫路工業大学
（現、兵庫県立大学）高度産業科学技術研究所でニュースバル放射光施設で
EUVリソグラフィの基盤技術開発を進め、これまで４つの国家プロジェクトを推進し、
国内外の多くの企業との共同研究を推進したきた。その結果、2019年のEUVLの
量産技術開発に大きく貢献してきた。今後の微細加工技術の進展貢献している
EUVL技術開発の第一人者である。
【習得できる知識】
・IRDS国際ロードマップの概要
・EUVリソグラフィ技術の基礎
・EUV露光光学系設計の基礎
・EUVマスク欠陥検査技術の基礎
・EUVペリクルの基礎
・EUVレジスト材料プロセス技術の基礎
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第2部 次世代EUV半導体プロセス向けフォトマスクの開発
【講演主旨】
フォトマスクは半導体リソグラフィの回路原版であり半導体の性能を決定づける
重要な部品であるため、フォトマスクに要求される品質は半導体の微細化および
性能向上に伴って、より厳しいものが求められ続けている。近年実用化されたEUV
リソグラフィに使用されるEUVマスクは、従来のDUVマスクとは露光方式の違いから
構造が大きく異なりEUV露光に最適化されたものとなっており、その重要性や要求
される性能はさらに高まっている。次世代EUV露光技術すなわちHigh-NA（NA=0.55）に
対応したマスクは、それに適合した形での進化が求められている。
本講演では以上のような変化と高精度要求に対応した機能や性能をフォトマスクが
発揮するために、どのような技術的検討が行われているかと製造工程について説明し、
さらに次世代露光技術に必要とされている開発課題について解説する。
【プログラム】
1. EUVマスクの特徴と技術課題
1.1 EUVマスクの構造と転写の概要
1.2 EUVマスクへの要求仕様
1.3 EUVマスク基板への要求仕様
1.4 遮光帯（Black Border ; BB）
1.5 EUVペリクル
2. EUVマスクの製造工程
2.1 データ準備工程（Mask Data Preparation ; MDP）
2.2 描画現像工程（レジストプロセス）
2.3 エッチング工程
2.4 計測・検査・修正工程
3. 次世代EUVマスクの開発課題
3.1 微細化の追求（解像度の向上）とさらなる複雑化への対応
3.2 新材料（位相シフトマスク）の適用
3.3 スティッチング露光への対応
3.4 高透過率EUVペリクルの開発
【質疑応答】
【キーワード】
フォトマスク、EUV、位相シフトマスク、次世代技術、開発課題
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第3部 EUVマスク検査技術開発
【講演主旨】
半導体デバイスの高機能化、動作速度向上、消費電力低減のため、EUV露光を用いた
電子回路パターンの微細化が進められています。EUV露光で用いられるフォトマスクに
欠陥が存在していると、露光時に欠陥が繰り返しウェハに転写してしまうため、転写性
欠陥を確実に検出する検査機は半導体製作の歩留まりを上げるために重要な役割を
担っています。本講習では進化を遂げてきたEUVマスクの検査技術全般について解説すると
共にし、ブランクス製作、パターン形成、ペリクル適用後に用いられる検査の実施例に
ついて紹介します。
【プログラム】
1．EUVマスク検査技術開発
1-1 EUVマスクの構造と欠陥種類
1-2 検査機の種類と検出特性
1-3 EUVマスクブランクス検査
1-4 EUVマスクパータン検査
1-5 その他の検査
1-6 検査機に適用される要素技術
【質疑応答】
【キーワード】
半導体 検査 マスク マスクブランクス パターン検査 ペリクル EUV Actinic
アクティニック検査 DUV検査 EUV光源
【講演ポイント】
EUVマスク検査の必要性について述べ、それぞれの工程において適した検査方式を
適用することにより歩留まり改善に繋がることを解説。
EUV関連の要素技術を含む検査技術全般について紹介。
【習得できる知識】
EUVマスク検査技術
EUV関連の要素技術
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第4部 EUV露光用フォトマスクブランクスの 開発と量産化に向けた取り組み
【講演主旨】
EUVL(極端紫外光リソグラフィ)に用いられる露光光は波長13.5nm近傍の光であり、
露光光に対して透明な物質は存在しない。そのため、マスクを含む露光システム内の
光学系には、反射光学系が採用されており、マスクに求められる特性は透過型マスクと
比較し大きく異なる。要求特性の大きな変化は、ブランクス構造の複雑さを生み、
量産化に向けた大きなハードルとなっていた。本講演では、量産化に向けた取り組みと
次世代ブランクスの開発の展望について、ご紹介させていただく。
【プログラム】
1. EUVマスクブランクスの特徴と技術課題
2. EUVマスクブランクス量産化に向けた取り組み
3. 次世代EUVマスクブランクスの開発
【質疑応答】
【キーワード】
EUVリソグラフィ、マスクブランクス、位相シフトマスク
【習得できる知識】
EUVマスクブランクスの基礎知識、次世代EUVマスクブランクスの開発展望
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