半導体デバイス設計入門
〜Excel演習付き〜【LIVE配信】

■開催日時：2025年01月31日(金) 10:30〜16:30 ■会場：【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます　 ■定員：30名 ■受講料：55,000円（税込、資料付き／1人） ※最新のセミナー情報を「配信可」にすると割引適用（登録無料） 会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で55,000円（税込）から 　・1名で申込の場合、49,500円（税込）へ割引になります。 　・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計55,000円（2人目無料）です。 ■備考： 資料付き 【LIVE配信セミナーとは？】 ■主催：（株）R&D支援センター ■講師： 駒形技術士事務所　研究開発部　所長　駒形　信幸　氏 【専門】 半導体デバイス 【略歴】 ・日本技術士会正員 ・応用物理学会正員 （フォト二クス分科会、応用電子物性分科会、薄膜・表面物理分科会、結晶工学分科会、超電導 　分科会、有機分子・バイオエレクトロニクス分科会、プラズマエレクトロニクス分科会、シリ 　コンテクノロジー分科会、先進パワー半導体分科会所属） ・電子情報通信学会正員 （基礎・境界ソサイエティ、通信ソサイエティ、エレクトロニクスソサエティ、情報システム 　ソサイエティ、ヒューマンコミュニケーショングループ所属） ■受講対象・レベル： 半導体デバイス開発・設計の実務に携わる若手および中堅技術者の方 ■必要な予備知識： MS Excelの基本操作が出来ること。 ■習得できる知識： 半導体デバイス開発・設計のための基礎知識が習得できる。 ■趣旨： 最新のMOSトランジスタ開発は、高速化・高集積化を追求し、従来のプレーナ型から3次元構造の FinFETやナノシートFETへと進んでいます。これらの3次元構造のMOSFETの開発や設計は、コン ピューターシミュレーションを使用して行われるようになってきました。 しかし、これらのシミュレーションにおいても、パラメータの設定には、従来のプレーナ型 MOSFET設計やバイポーラトランジスタで培った半導体知識が必要です。 半導体デバイスの学習は、どうしても数式の導出や羅列が多く、学習意欲が損なわれがちです。 そのため、半導体特性計算のコツや半導体物理の基礎、PN接合、MOS構造、MOSトランジスタの 特性について、MS Excelを使った計算演習を通じて数値的な実感を持ってもらいます。 また、なぜCMOSが使われるのかという基礎的な理解にも言及し、従来形のMOSFETから最新のMOSFET 開発への橋渡しを行います。 ■プログラム： １．半導体基礎 　１−１．結晶構造と結晶方位 　１−２．CGS単位とSI単位、物理定数 　１−３．シリコンの定数 ２．電子の運動とバンド構造 　２−１．電子の運動 　　（１）粒子と波動 　　　　　�@スリットと干渉 　　　　　�A金薄膜の回折 　２−２．エネルギー準位の量子化 　　（１）ボーアの水素原子模型 　　（２）バンド構造 　　（３）結晶のバンド構造 　　　　　�@状態密度関数 　　　　　�Aパウリの排他則とフェルミ‐ディラック分布 　　　　　　１）パウリの排他則 　　　　　　２）フェルミ‐ディラック分布 　　　　　　　●フェルミ準位とは 　　　　　　３）キャリアのエネルギー分布 　２−３．各種固体のバンド構造 　　（１）金属 　　（２）半導体 　　（３）絶縁体 　２−４．半導体のエネルギー準位図 　　（１）各種バンドの表し方 　　　　　�@エネルギーと位置 　　　　　�Aエネルギー分布と位置 　　　　　�Bエネルギーと波数ｋ 　　（２）真性半導体 　　（３）Ｎ形半導体 　　（４）Ｐ形半導体 ３．キャリアの運動 　３−１・ドリフトと拡散 　　（１）ドリフト移動度 　　（２）キャリアの拡散 　　（３）アインシュタインの関係式とキャリアの拡散長 　　（４）演習�@（キャリアの拡散長計算） ４．PN接合 　４−１．PN接合のバンド構造 　４−２．PN接合の電流−電圧特性 　　（１）計算式 　　（２）演習�A（飽和電流の計算等） 　４−３．空乏層の拡がり 　　（１）階段接合 　　（２）傾斜接合 　　（３）演習�B（空乏層の拡がり計算） ５．不純物濃度の求め方 　５−１．キャリア濃度から 　５−２．体積抵抗率とキャリア濃度の関係グラフ 　　（１）演習�C（不純物濃度の求め方演習） 　５−３．ドーズ量と接合深さから 　５−４．一般的な文献値から ６．MOS素子基本特性 　６−１．MOS構造 　６−２．ゲートバイアスと反転層の形成 　　（１）電荷蓄積層の形成 　　（２）空乏層の形成 　　（３）反転層の形成 　　（４）演習�D（しきい値電圧計算） ７．MOSトランジスタ 　７−１．MOSトランジスタ電流−電圧の関係式 　７−２．MOSトランジスタの閾値電圧の計算方法 　　（１）計算式 　　（２）調整方法 　　（３）演習�E（イオン注入によるしきい値電圧調整） 　７−３．耐圧 　　（１）ブレークダウン耐圧 　　　　　�@アバランシェ降伏（なだれ降伏） 　　　　　�Aツェナー降伏 　　　　　�Bアバランシェ降伏とツェナー降伏の温度特性 　　（２）階段接合（無限大平面の場合）のブレークダウン電圧 　　（３）空乏層の伸びとブレークダウン電圧の関係 　　（４）コーナーRがある場合 　　（５）演習�F（ブレークダウン電圧の計算） 　７−４．アイソレーションと寄生MOS 　　（１）寄生MOSのしきい値電圧とチャネルストッパー 　　（２）計算式 　　（３）演習�G（寄生 MOSのしきい値電圧の計算） ８．CMOSについて 　８−１．CMOS回路の特徴 　８−２．CMOS回路の実際 　８−３．CMOSプロセスと構造 ９．最新構造のMOSトランジスタへのアプローチ