■日時：2025年01月16日(木) 10:30〜16:30
■会場：※会社やご自宅のパソコンで視聴可能な講座です
※ お申込み時に送られるWEBセミナー利用規約・マニュアルを必ず、ご確認ください。
■定員：30名
■受講料：49,500円(税込、テキスト費用を含む)
※複数でのご参加を希望される場合、お申込み追加1名ごとに16,500円が加算となります
■主催：(株)AndTech
■講師：大阪大学 招聘教授 遠藤 政孝 氏
■講演主旨：
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能
化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル
/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に
対応して進展し続けている。
本講演では、最新のロードマップを紹介した後、EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向、
最先端リソグラフィ技術（ダブル/マルチパターニング、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソグラ
フィ）の最新開発動向を解説する。ここでは、注目されている高NA EUV露光装置、EUVメタルレジスト、
EUVメタルドライレジストプロセスについても詳しく述べる。さらにリソグラフィ技術の今後の展望、
レジスト材料の市場動向についてまとめる。
■習得できる知識：
・EUVリソグラフィの最新開発動向
・EUVレジストの最新開発動向
・最先端リソグラフィ技術（ダブル/マルチパターニング、DSAリソグラフィ、ナノインプリントリソ
グラフィ）の最新開発動向
・リソグラフィ技術、レジスト材料のビジネス動向
■プログラム：
1.ロードマップ
1.1 リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
1.3最先端デバイスの動向
2. EUVリソグラフィ、EUVレジストの最新開発動向
2.1 EUVリソグラフィの現状と課題・対策
2.1.1露光装置
2.1.2光源
2.1.3マスク
2.1.4プロセス
2.2 EUVリソグラフィのトピックスと開発動向
2.2.1 高NA EUV露光装置
2.2.2 アンダーレイヤー
2.3 EUVレジストの要求特性と設計指針
2.3.1 化学増幅型EUVレジストの反応機構
2.3.2 化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
2.4 EUVレジストの課題・対策
2.4,1感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
2.4.2ランダム欠陥（Stochastic Effects）
2.5 EUVレジストの開発動向
2.5.1ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
2.5.2ネガレジストプロセス
2.6 EUVメタルレジストの特徴
2.6.1 EUVメタルレジスト用材料
2.6.2 EUVメタルレジストの反応機構
2.7 EUVメタルレジストの開発動向と性能
2.8 EUVメタルドライレジストプロセスの特徴・性能と開発動向
2.8.1 EUVメタルドライレジスト用材料
2.8.2 EUVメタルドライレジストの反応機構
3.最先端リソグラフィ技術の最新開発動向
3.1ダブル/マルチパターニング
3.1.1リソ−エッチ（LE）プロセス
3.1.2セルフアラインド（SA）プロセス
3.2自己組織化（DSA）リソグラフィ
3.2.1グラフォエピタキシー
3.2.1.1 EUVリソグラフィとの併用
3.2.2ケミカルエピタキシー
3.3ナノインプリントリソグラフィ
3.3.1加圧方式
3.3.2光硬化方式
3.3.2.1露光装置
4.リソグラフィ技術の今後の展望
5.レジスト材料の市場動向
5.1 EUVレジストの市場動向
【質疑応答】
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