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半導体微細パターニング技術とリソグラフィ 岡崎 信次 |
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3 | 光リソグラフィ技術の発展とその限界 |
4 | ポスト光リソグラフィ技術と今後の展開 |
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光リソグラフィ技術 |
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第1章 | 露光装置 柴ア 祐一 |
1 | 光露光装置概要 |
2 | 露光装置を構成する技術 |
3 | 今後の光露光装置に求められるもの |
第2章 | エキシマレーザ光源 松永 隆,太田 毅 |
1 | はじめに |
2 | 光リソグラフィにおけるエキシマレーザ光源 |
3 | ArFエキシマレーザの基本技術 |
4 | 最新技術動向 |
5 | 最新多重露光プロセス対応ArFエキシマレーザ GT64A |
6 | おわりに |
第3章 | 超解像技術、位相シフト技術と変形照明技術 渋谷 眞人 |
1 | はじめに |
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2 | 投影露光装置光学系の基本的構成と結像 |
3 | 変形照明技術(斜入射照明法) |
4 | 位相シフトマスク技術 |
第4章 | マスク技術とSMO技術 |
第1節 | フォトマスク技術 林 直也 |
1 | はじめに |
2 | フォトマスクの成り立ち |
3 | フォトマスクの構造 |
4 | フォトマスク製造工程 |
5 | フォトマスクの課題と今後 |
第2節 | SMO (Source Mask Optimization)技術 斉藤 康子 |
1 | SMOとは |
2 | ASMLのSMO技術 |
3 | フルチップへの適用 |
4 | まとめ |
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ポスト光リソグラフィ技術 |
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第1章 | 次世代リソグラフィ技術動向 石原 直 |
1 | 次世代リソグラフィ技術とは |
2 | EUVリソグラフィ技術 |
3 | 電子線描画技術 |
4 | ナノインプリント技術 |
5 | DSA (Directed Self-Assembly) 技術 |
第2章 | EUVリソグラフィ技術 |
第1節 | EUV露光装置技術 宮崎 順二 |
1 | はじめに |
2 | 装置概要 |
3 | 装置性能 |
4 | 将来の高NA EUV露光システム |
第2節 | EUV干渉露光 渡邊 健夫 |
1 | はじめに |
2 | EUV干渉露光 |
3 | まとめ |
第3節 | EUV光源技術 溝口 計,斎藤 隆志,山崎 卓 |
1 | はじめに |
2 | EUVリソグラフィ |
3 | 高出力EUV光源の開発の経緯とコンセプト |
4 | 最近の高出力EUV光源開発の進展 |
5 | EUV光源パイロットシステムの開発 |
6 | おわりに |
第4節 | EUVブランクス作製技術 笑喜 勉 |
1 | はじめに |
2 | ガラス基板材料 |
3 | サブストレート研磨プロセス |
4 | 多層膜 |
5 | 吸収体・裏面膜 |
6 | まとめ |
第5節 | マスク技術 小寺 豊 |
1 | EUVマスクの構造 |
2 | EUVマスクの製造工程 |
3 | EUVマスクの遮光帯 |
4 | EUVマスクの欠陥 |
5 | EUVマスクの欠陥検査 |
6 | EUVマスクの欠陥保証 |
7 | EUVマスク用ペリクル |
第3章 | ナノインプリント技術 |
第1節 | 量産化に向けたナノインプリント技術 東木 達彦 |
1 | はじめに |
2 | NAND フラッシュメモリの概要 |
3 | 次世代リソグラフィの選択 |
4 | ナノインプリントのアライメント技術とオーバーレイ精度向上 |
5 | 欠陥低減とナノディフェクトマネージメント |
6 | おわりに |
第2節 | ナノインプリント装置技術 森本 修 |
1 | はじめに |
2 | ナノインプリント装置開発の歴史 |
3 | 半導体ナノインプリント装置の仕組み |
4 | ナノインプリント装置の性能 |
5 | マスク複製装置 |
6 | ナノインプリント装置の今後 |
第3節 | ナノインプリント・テンプレート技術 法元 盛久 |
1 | テンプレートとは |
2 | マスターテンプレート技術 |
3 | レプリカテンプレート技術 |
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4 | まとめ |
第4節 | ナノインプリントプロセス技術 河野 拓也 |
1 | はじめに |
2 | NILの概要 |
3 | 光ナノインプリントの基本性能 |
4 | 光ナノインプリントを成功させるための周辺技術 |
5 | おわりに |
第5節 | ナノインプリント材料技術 中川 勝 |
1 | はじめに |
2 | 光硬化性液体 |
3 | その他の機能性材料 |
4 | シングルナノ成形に向けた光硬化性液体 |
第6節 | ナノインプリントリソグラフィシミュレーション技術 小林 幸子 |
1 | はじめに |
2 | 樹脂流動シミュレーション |
3 | UV硬化および離型挙動シミュレーション |
4 | NILシミュレーションを利用した製造性考慮設計 |
第4章 | 電子線描画技術と装置開発 |
第1節 | 可変成形ビーム型電子線描画装置 山田 章夫 |
1 | はじめに |
2 | 電子線描画装置のカラム構成と図形転写機能 |
3 | 電子線描画装置の描画例 |
4 | おわりに |
第2節 | マルチビーム型電子線描画装置 中山田 憲昭,山下 浩 |
1 | はじめに |
2 | 開発の目的 |
3 | 描画方式の相違点 |
4 | 主要開発項目 |
5 | スループット設計 |
6 | 描画結果 |
7 | まとめ |
第5章 | 誘導自己組織化(DSA)技術 |
第1節 | DSA技術の概要 永原 誠司 |
1 | はじめに |
2 | DSA技術に活用されるポリマーの自己組織化 |
3 | DSAプロセスの基本ステップ |
4 | DSA関連材料 |
5 | DSAのプロセスシミュレーション |
6 | DSA技術の優位点と課題 |
7 | まとめ |
第2節 | ラインアンドスペース対応DSA技術 東 司 |
1 | はじめに |
2 | 物理ガイドプロセスと化学ガイドプロセス |
3 | ハーフピッチ15 nmラインアンドスペース対応DSA技術 |
4 | ハーフピッチ10 nm以細ラインアンドスペース対応DSA技術 |
5 | まとめ |
第3節 | ホール対応DSA技術 清野 由里子 |
1 | はじめに |
2 | DSAホールシュリンクプロセス技術 |
3 | DSA適用ビアチェーンの電気的歩留まり検証 |
4 | まとめ |
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レジスト材料技術 |
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第1章 | レジスト材料の開発動向 上野 巧 |
1 | はじめに |
2 | リソグラフィ・レジストの転換点 |
3 | 露光波長の短波長化とレジストの光吸収 |
4 | 現像液の変遷 |
5 | レジスト感光機構の変遷およびコントラスト向上 |
6 | 解像限界と分子サイズの考察 |
7 | まとめ |
第2章 | 化学増幅型レジスト材料技術 |
第1節 | DUVリソグラフィー用対応フォトレジスト材料技 下畠 孝二 |
1 | はじめに |
2 | ポジ型化学増幅レジスト−KrFエキシマレーザー用− |
3 | ポジ型化学増幅レジスト−ArFエキシマレーザー用− |
4 | ArFレジスト ネガ画像形成方式 |
5 | おわりに |
第2節 | EUVリソグラフィ用フォトレジスト技術 成岡 岳彦,中川 泰志 |
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1 | はじめに |
2 | 有機ポリマーをマトリクスにした化学増幅型EUVレジスト |
3 | 低分子化合物を用いた化学増幅型EUVレジスト |
4 | EUVレジストの高感度化に向けた新規プロセス |
5 | まとめ |
第3節 | 金属含有型レジスト材料技術 鳥海 実 |
1 | 初期の金属含有型レジスト |
2 | EUVリソグラフィー用金属含有型レジストの特徴 |
3 | Cornell University、The University of Queensland、(株)EUVL基盤開発センターの金属含有型レジスト |
4 | 金属含有型レジストとして評価された化合物 |
5 | Oregon State University、Inpria、Interuniversity Microelectronics Centreの金属含有型レジスト |
6 | その他の金属含有型レジスト |
7 | 金属含有型レジストの高機能化 |
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マルチパターニング技術 |
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第1章 | マルチパターニングの技術動向 八重樫 英民 |
1 | マルチパターニングの分類と特徴 |
2 | マルチパターニングの解像実証結果と技術課題 |
3 | マルチパターニングの応用技術 |
4 | マルチパターニングに関連した周辺技術 |
5 | まとめ |
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第2章 | マルチパターンニングにおけるデポジション技術とエッチング技術 野尻 一男 |
1 | マルチパターニングにおけるデポジション技術とエッチング技術の役割 |
2 | デポジション技術 |
3 | エッチング技術 |
4 | おわりに |
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計測評価技術 |
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第1章 | CD-SEM技術 杉本 有俊 |
1 | はじめに |
2 | CD-SEM計測の対象と目的 |
3 | CD-SEM計測技術の概要 |
4 | Line Edge Roughness(LER)の計測 |
5 | Design Based Meteorology |
6 | CD-SEMの高速化が拓く新しいアプリケーション |
第2章 | スキャトロメトリ(光波散乱計測) 白ア 博公 |
1 | はじめに |
2 | 半導体リソグラフィ技術 |
3 | 反射散乱光を利用した測定技術 |
4 | スキャトロメトリ |
5 | 最適化手法 |
6 | スキャトロメトリ解析の実例 |
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7 | あとがき |
第3章 | 走査型プローブ顕微鏡技術 大田 昌弘 |
1 | はじめに |
2 | AFMの原理 |
3 | 各種SPM手法 |
4 | SPMの特長 |
5 | SPMの応用例 |
6 | まとめ |
第4章 | X線小角散乱法を用いた寸法および形状計測技術 伊藤 義泰 |
1 | はじめに |
2 | X線散乱 |
3 | X線小角散乱の測定法 |
4 | 測定例 |
5 | まとめと今後の展望 |
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その他応用技術 |
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第1章 | MEMS技術の微細パターニングへの応用 江刺 正喜、戸津 健太郎、鈴木 裕輝夫、小島 明、池上 尚克、宮口 裕、越田 信義 |
1 | はじめに |
2 | EUV光源用フィルタ |
3 | アクティブマトリックスnc-Si電子源による超並列電子ビーム描画 |
4 | おわりに |
第2章 | 最近の超先端エッチング技術の概要―原子層レベル超低損傷高精度エッチング― 寒川 誠二 |
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1 | はじめに |
2 | 中性粒子ビーム生成装置 |
3 | 22nm世代以降の縦型フィントランジスタへの応用 |
4 | 無欠陥ナノ構造の作製とその特性 |
5 | 原子層レベル表面化学反応の制御 |
6 | まとめ |
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