■開催日時：2024年12月17日(火) 12:30〜16:30
■会場：【WEB限定セミナー】※在宅、会社にいながらセミナーを受けられます
■定員：30名
■受講料：49,500円（税込、資料付き／1人）
※最新のセミナー情報を「配信可」にすると割引適用（登録無料）
会員（案内）登録していただいた場合、通常1名様申込で49,500円（税込）から
・1名で申込の場合、46,200円（税込）へ割引になります。
・2名同時申込で両名とも会員登録をしていただいた場合、計49,500円（2人目無料）です。
■備考：
資料付き
【LIVE配信セミナーとは？】
■主催：（株）R&D支援センター
■講師：金沢大学 ナノマテリアル研究所
教授（リサーチプロフェッサー）博士（工学） 徳田 規夫 氏
【ご専門】半導体工学
【略歴】
筑波大学でシリコンゲート絶縁膜、シリコン表面構造制御に関する研究で2005年に博士（工学）を取得。
その後、産業技術総合研究所でポスドクとしてダイヤモンド研究を開始。主に、ダイヤモンド膜の成長
制御技術を研究。2009年に金沢大学に助教として着任し、ダイヤモンド半導体ウェハ及びデバイスに
関する研究を開始。2011年に准教授。2015年に金沢大学リサーチプロフェッサー。2018年度から2年間、
産業技術総合研究所クロスアポイントメントフェローを兼務。2018年に教授。2020年度の1年間、京都
大学化学研究所客員教授。2020年12月から株式会社KANAZAWA DIAMOND取締役を兼務。2024年4月から
Arizona State University・Visiting Professorを兼務。現在に至る。
【主な学会活動】
応用物理学会薄膜・表面物理分科会・幹事
応用物理学会先進パワー半導体分科会・幹事
応用物理学会北陸・信越支部・副支部長
■受講対象・レベル：
・ポストSiC、GaNパワーデバイスに興味をお持ちの方。
・ダイヤモンドウェハ及びデバイス開発状況に興味をお持ちの方。
■必要な予備知識：
・特に予備知識は必要ありません。基礎から解説いたします。
■習得できる知識：
・ダイヤモンドの基礎的な知識が得られる。
・ダイヤモンド半導体研究の歴史・魅力を理解できる。
・ダイヤモンドウェハ及びデバイスに関する要素技術と課題を理解できる。
■趣旨：
ダイヤモンドは、極めて高い電子及び正孔の移動度、熱伝導率、そして絶縁破壊電界を持つこと
から、省エネ・低炭素社会の実現に資する革新的なパワーデバイス材料として期待されています。
また、近年ではダイヤモンド中の窒素-空孔（NV）中心を用いた室温動作の量子デバイス/センサへの
応用が期待されています。
本講演では、ダイヤモンドの魅力からダイヤモンド半導体研究の歴史について概説し、ダイヤモンド
ウェハ、半導体デバイス、そしてその他のデバイス応用に関する研究開発の現状、課題、最新動向に
ついて、我々の研究成果（例：世界で初めて実現した反転層チャネルダイヤモンドMOSFET 等）を中心に
解説します。
■プログラム：
1 はじめに
1-1 半導体材料としてのダイヤモンドの魅力
1-2 ダイヤモンド半導体研究の歴史
2 ダイヤモンドウェハ製造技術
2-1 成長技術（高温高圧, プラズマCVD, 熱フィラメントCVD）
2-2 不純物ドーピング技術
2-3 スライス・カット技術
2-4 研磨技術
3 ダイヤモンドダイオード
3-1 ショットキーバリアダイオード
3-2 PN接合ダイオード
3-3 ショットキーPNダイオード(SPND)
4 ダイヤモンドトランジスタ
4-1 MESFET
4-2 JFET
4-3 BJT
4-4 MOSFET
5 その他のデバイス応用
5-1 深紫外線発光デバイス
5-2 電子放出デバイス
5-3 ダイヤモンド電気化学電極
5-4 ダイヤモンド中窒素-空孔（NV）中心を用いた量子デバイス/センサ
6 まとめと今後の展開以上
【質疑応答】
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